30W 50V GaN HEMT Rf PA Versterker RF Power Transistor voor 5700- 5900MHz

De YP40601625T is een 30-watt, intern afgestemde GaN HEMT, ontworpen voor meerdere toepassingen met frequenties van 4000 tot 6000 MHz, in het bijzonder 5700- 5900 MHz.De prestaties zijn gegarandeerd voor toepassingen die in de genoemde frequenties werken.. Typische prestaties (op een installatie voor het opwekken van brandstof): VDD = 50 volt, IDQ = 110 mA, CW, Psat>30W

Toepassingen en kenmerken

• Geschikt voor draadloze communicatie-infrastructuur, commerciële radar, breedbandversterker, jammer, EMCtesting, ISM enz.
• Operaties met een hoge efficiëntie en lineaire winst
• Verbeterd industrieel standaardpakket voor warmte
• Hoog betrouwbaar metallisatieproces
• Uitstekende thermische stabiliteit en uitstekende hardheid
• Voldoet aan Richtlijn 2002/95/EG betreffende de beperking van gevaarlijke stoffen (RoHS) Belangrijke opmerking: Gepaste vervormingsequentie voor GaN HEMT-transistors Wanneer het apparaat wordt ingeschakeld 1.Stel VGS in op de pinch-off (VP) -spanning, typisch 5 V 2. Zet VDS aan op de nominale voedingsspanning (50 V) 3. Verhoog VGS totdat de IDS-stroom wordt bereikt 4. Breng RF-invoervermogen toe op het gewenste niveau Sluit het apparaat 1. Sluit RF-vermogen uit 2.Verminder VGS naar VP, meestal 5 V 3. Verminder VDS tot 0 V 4. Zet VGS uit

Belangrijke NOTA: Behoorlijke vertekeningsequentie voor GaN HEMT-transistors

Het apparaat aanzetten

1.VGS instellen op de pinch-off (VP) -spanning, meestal 5 V

2.VDS aanzetten op nominale voedingsspanning (50 V)

3.Verhoog de VGS totdat de IDS-stroom is bereikt

4.Verdraagt RF-invoervermogen tot het gewenste niveau

Het apparaat uitschakelen

1Zet de RF-energie uit.

2Verminderen van VGS tot VP, meestal ¢5 V

3Verlaag de VDS naar 0 V.